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Simulation TCAD, fabrication, caractérisation électrique et extraction des paramètres physiques du procédé MOS

J. Postel-Pellerin, V. Della Marca, J.-D. Aguirre-Morales, R. Bouchakour et R. Laffont

J3eA, 23 (2024) 1016

DOI: https://doi.org/10.1051/j3ea/20241016

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