Document Article en accès gratuit
J3eA 7, 1006 (2008)
DOI: 10.1051/j3ea:2008005
Initiation à la microélectronique ultime CMOS
A. Bournel, S. Galdin-Retailleau, J. Sée, V. Yam and V. Aubry-FortunaIEF Université Paris Sud, Bât. 220, 91405 Orsay cedex, France
bournel@ief.u-psud.fr
(Publié en ligne le 22 février 2008)
Résumé
Dans cet article, nous présentons un projet proposé
en 1ère année de master et permettant d'appréhender
le contexte de la microélectronique CMOS, avec en particulier les enjeux
actuels de la miniaturisation des composants.
Pour cela, les étudiants mettent en oeuvre des logiciels de simulation
physique de transistors et pratiquent la réalisation
technologique de structures élémentaires en salle blanche, objets
qui sont ensuite caractérisés électriquement.
Mots clés : MOSFET -- roadmap -- simulation -- technologie -- salle blanche -- caractérisation électrique
© EDP Sciences 2008