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J3eA
Volume 14, 2015
JPCNFM 2014 – 13e journées pédagogiques du CNFM (Coordination nationale pour la formation en micro-électronique et en nanotechnologies)
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| Article Number | 2014 | |
| Number of page(s) | 7 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/2015026 | |
| Published online | 7 août 2015 | |
Comparaison des effets de canaux courts entre les technologies MOSFET FDSOI et MOSFET bulk
1
Grenoble-INP – Phelma, 3 parvis Louis Néel – BP257 – 38016
Grenoble Cedex 1
2
Centre Interuniversitaire de Microélectronique et Nanotechnologies (CIME Nanotech), Pôle CNFM de Grenoble, 3 parvis Louis Néel, 38016
Grenoble Cedex 1
3
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, BP 16, 38926
Crolles, France
Résumé
Pour répondre au besoin d’augmentation des performances des circuits intégrés, de nouvelles architectures dites Trigate (développée par Intel) ou totalement déserté sur isolant (FDSOI, développée par ST Microelectronics) ont récemment été mise en production. Ce travail décrit la mise en place et le déroulement du nouveau TP de caractérisation électrique accessible au CIME Nanotech, Pôle CNFM de Grenoble, qui vise à comparer les performances des architectures de transistor conventionnelles (dites bulk) et FDSOI.
© EDP Sciences, 2015
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