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J3eA
Volume 13, 2014
JPCNFM 2012 – 12e journées pédagogiques du CNFM (Coordination nationale pour la formation en micro-électronique et en nanotechnologies)
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| Article Number | 0008 | |
| Number of page(s) | 7 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/2014008 | |
| Published online | 26 mai 2014 | |
Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium
1 LPCNO/INSA: Laboratoire de Physique et Chimie de Nano-Objets, 135 Avenue de Rangueil, 31077
Toulouse
2 AIME pôle CNFM de TOULOUSE
3 CEMES : Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales, 29 rue J. Marvig, BP 94347,
31055 Toulouse
Résumé
Cet article présente une formation de courte durée, en salle blanche, donnant une approche pratique complète du concept « NANO-INSIDE » appliqué à la réalisation de mémoire de type FLASH par l’intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les opérations de fabrication des circuits intégrés de type « mémoires », ainsi que leurs caractérisations à la fois matériaux et composants (électriques). In fine, le but est de montrer à un public étudiant comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation.
© EDP Sciences, 2014
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