| Numéro |
J3eA
Volume 16, 2017
JPCNFM 2016 – 14e journées pédagogiques du CNFM (Coordination nationale pour la formation en micro-électronique et en nanotechnologies)
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| Numéro d'article | 1003 | |
| Nombre de pages | 7 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/20171003 | |
| Publié en ligne | 31 janvier 2018 | |
Développement de mémoires non-volatiles embarquées pour les plateformes technologiques avancées 40nm et 28nm
a
STMicroelectronics Rousset, 190 avenue Célestin Coq, 13106 Rousset, France
b
Laboratoire EpOC – URE UNS 006, Ecole Polytechnique de l’Université Nice Sophia Antipolis, 930 route des Colles – Campus Sophiatech, 06410 Biot, France
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Contact email: marjorie.hesse@st.com
Ce papier décrit le développement des prochaines générations de mémoires non volatiles (NVM). Ce travail se focalise dans un premier temps sur un rappel des technologies mémoires embarquées dites classiques, intervenant sur de nombreuses applications à base de microcontrôleurs. L’accroissement de ce champ d’applications engendre le respect de nombreux critères (ultra basse consommation, augmentation de puissance, etc.) nécessitant une évolution technologique vers des noeuds avancés comme le 40nm et le 28nm. Un état de l’art des architectures actuelles permettra alors de découvrir les différentes technologies existantes et de comprendre les procédés utilisés. Nous aborderons d’abord les notions théoriques utilisées, puis les freins potentiels à anticiper dans cette génération de mémoire et ses possibles améliorations.
© EDP Sciences 2017
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