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Simulation TCAD, fabrication, caractérisation électrique et extraction des paramètres physiques du procédé MOS

J. Postel-Pellerin, V. Della Marca, J.-D. Aguirre-Morales, R. Bouchakour and R. Laffont

J3eA, 23 (2024) 1016

Published online: 12 juillet 2024

DOI: 10.1051/j3ea/20241016

J. Postel-Pellerin

V. Della Marca

J.-D. Aguirre-Morales

R. Bouchakour

R. Laffont

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