| Numéro |
J3eA
Volume 23, 2024
JPCNFM 2023 – 17e journées pédagogiques du CNFM (Coordination Nationale pour la Formation en Micro-électronique et en nanotechnologies)
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| Numéro d'article | 1016 | |
| Nombre de pages | 7 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/20241016 | |
| Publié en ligne | 12 juillet 2024 | |
Simulation TCAD, fabrication, caractérisation électrique et extraction des paramètres physiques du procédé MOS
Pôle CNFM PACA - Aix-Marseille Université - Polytech Marseille Filière Microélectronique et Télécommunications Technopôle de Château-Gombert - 5 rue Enrico Fermi - 13453 Marseille Cedex, France
* Contacts email : jeremy.postel-pellerin@univ-amu.fr, vincenzo.della-marca@univ-amu.fr, jorge-daniel.aguirre@univ-amu.fr, rachid.bouchakour@univ-amu.fr, romain.laffont@univ-amu.fr
Dans le cadre du Cycle Ingénieurs de la Filière « Microélectronique et Télécommunications » de Polytech Marseille, différents enseignements sont directement articulés autour du procédé MOS proposé dans la salle blanche de l’Atelier Interuniversitaire de Micro-Nano Électronique (AIME, Pôle CNFM de Toulouse). En effet, les TP de physique des composants (3A) et les cours de technologie des composants (4A) portent sur la fabrication et la caractérisation électrique des dispositifs pour la microélectronique. Dans ce contexte nous avons fait une connexion directe avec les expériences dans la salle blanche de l’AIME pour préparer les élèves ingénieurs aux manipulations.
© The Authors, published by EDP Sciences 2024
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