Numéro |
J3eA
Volume 23, 2024
JPCNFM 2023 – 17e journées pédagogiques du CNFM (Coordination Nationale pour la Formation en Micro-électronique et en nanotechnologies)
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Numéro d'article | 1019 | |
Nombre de pages | 9 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/20241019 | |
Publié en ligne | 12 juillet 2024 |
Du silicium au circuit CMOS. Pédagogie active par Apprentissage Par Projet
1
École nationale supérieure d’électrotechnique, d’électronique, d’informatique, d’hydraulique et des télécommunications, INP, Toulouse, France
2
Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes - LAAS UPR 8001, Toulouse, France
3
Atelier Interuniversitaire de Micro et Nano Electronique, pôle CNFM de Toulouse, INSA, Toulouse, France
4
Département de Physique, INSA, Toulouse, France
* Contacts email : helene.tap@toulouse-inp.fr, tan@insa-toulouse.fr
L’objectif de cette formation est de proposer à des étudiants de niveau Master ou Ingénieur en Electronique un module complet allant de la modélisation d’une technologie CMOS 6 µm jusqu’au test d’un circuit analogique fabriqué en salle blanche, après une étape de conception et de simulation. En s’appuyant sur les méthodes d’Apprentissage Par Projet (APP) et de pédagogies actives, cette formation favorise l’apprentissage des outils et des méthodes de conception des circuits CMOS autour de la conception et de la réalisation concrète d’un amplificateur CMOS à 2 étages répondant à un cahier des charges précis. Tout au long de ce projet d’une durée totale de 10 journées, les étudiants organisés en groupe de 4 devront analyser et confronter leurs résultats de mesures à leur étude théorique et de conception assistée par ordinateur tant pour la partie technologique (caractérisation des capacités MOS, diodes, transistors MOS) que sur les performances des circuits CMOS (bande passante, gain, slew rate, offset, consommation, plage d’entrée, de sortie).
© The Authors, published by EDP Sciences 2024
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