| Numéro |
J3eA
Volume 7, 2008
CETSIS 2007
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| Numéro d'article | 1006 | |
| Nombre de pages | 5 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea:2008005 | |
| Publié en ligne | 22 février 2008 | |
Initiation à la microélectronique ultime CMOS
IEF Université Paris Sud, Bât. 220, 91405 Orsay cedex, France
Auteur de correspondance : bournel@ief.u-psud.fr
Dans cet article, nous présentons un projet proposé en 1ère année de master et permettant d'appréhender le contexte de la microélectronique CMOS, avec en particulier les enjeux actuels de la miniaturisation des composants. Pour cela, les étudiants mettent en oeuvre des logiciels de simulation physique de transistors et pratiquent la réalisation technologique de structures élémentaires en salle blanche, objets qui sont ensuite caractérisés électriquement.
Mots clés : MOSFET / roadmap / simulation / technologie / salle blanche / caractérisation électrique
© EDP Sciences, 2008
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