Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-CutTM

C. Rouhabi; T. Besombes; R. P. Tan; F. Guerin; C. Capello; F. Gessinn; G. Benassayag; A. Claverie; X. Hebras; M. Respaud

doi:10.1051/j3ea/20171011

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Volume 16 (2017) HORS SÉRIE 1

J3eA, 16 (2017) 1011

Résumé

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Numéro		J3eA Volume 16, 2017 JPCNFM 2016 – 14^e journées pédagogiques du CNFM (Coordination nationale pour la formation en micro-électronique et en nanotechnologies)


Numéro d'article		1011
Nombre de pages		4
DOI		https://doi.org/10.1051/j3ea/20171011
Publié en ligne		31 janvier 2018

J3eA 16, 1011 (2017)

Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut^TM

C. Rouhabi^a, T. Besombes^a, R. P. Tan^a^*, F. Guerin^a, C. Capello^a, F. Gessinn^a, G. Benassayag^b, A. Claverie^b, X. Hebras^b^,c et M. Respaud^a^,c^,d

^a AIME et pôle CNFM de Toulouse, Université de Toulouse, INSA, France
^b CEMES-CNRS, Université de Toulouse, France
^c Département de Génie Physique, Université de Toulouse, INSA, France
^d LPCNO, Université de Toulouse, CNRS, INSA, UPS, France

^* Contact email : reasmey.tan@aime-toulouse.fr

Résumé

Nous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM.

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