| Numéro |
J3eA
Volume 21, 2022
CETSIS 2021 – Colloque de l’Enseignement des Technologies et des Sciences de l’Information et des Systèmes
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|---|---|---|
| Numéro d'article | 2055 | |
| Nombre de pages | 6 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/j3ea/20222055 | |
| Publié en ligne | 28 septembre 2022 | |
Memristor − the fourth fundamental passive electronic component and its memory interpretation
1
Université de Bourgogne, BP 47870-21078 DIJON cedex, France.
2
Kano University of Science and Technology, BP 3244 Kano, Nigeria.
3
Université de Maroua, BP 814 Maroua, Cameroun.
† Correspondence: aliyuisahbabanta@gmail.com
* Jean-Marie.Bilbault@u-bourgogne.fr
This paper aims to present to master students in electronics the recently discovered fourth basic passive circuit element − called memristor − and to better understand how the history memory of the already passed charge through it is taken into account in its I-V characteristic. In this attempt, a simple coupling device between 2 RC cells is investigated. Our calculations are in very good agreement with experiments on SPICE and Matlab softwares.
Key words: Teaching / circuit elements / memristor / memory effect / charged cells / diffusion
© The authors, published by EDP Sciences 2022
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