Fabrication et caractérisation de résistances à base de nanofils de silicium

Fabrication and characterization of resistors based on silicon nanowires

Pôle CNFM de Rennes, Centre Commun de Microélectronique de l’Ouest Univ Rennes, CNRS, IETR (Institut d’Electronique et des Technologies du numéRique) UMR 6164 263 avenue du général Leclerc, 35042 Rennes cedex, France

^* Auteur de correspondance : laurent.pichon@univ-rennes.fr

Résumé

Cet article présente des travaux pratiques sur les technologies de fabrication et la caractérisation de résistances fabriquées à partir de nanofils de silicium synthétisés par la méthode vapeur liquide solide utilisant l’or comme catalyseur. Les résistances issues de deux technologies de fabrication sont observées par microscopie optique confocale et microscopie électronique à balayage, puis caractérisées électriquement par mesures I-V en fonction de leur géométrie et du taux de dopage des nanofils. La mesure de la valeur de la résistance électrique permet de déduire la résistivité moyenne des nanofils et les résistances d’accès à l’interface entre les nanofils et l’électrode.

Cette formation est proposée à des étudiants de 2^e année de Master ou équivalent suivant un enseignement en nanotechnologies.

Abstract

This article presents practical work on manufacturing technologies and the characterization of resistors made from silicon nanowires synthesized using the vapor-liquid-solid method with gold as a catalyst. The resistors produced using two manufacturing technologies are observed using confocal optical microscopy and scanning electron microscopy, then electrically characterized by I-V measurements based on their geometry and the doping rate of the nanowires. Measuring the electrical resistance allows to deduce the average resistivity of the nanowires and the access resistances at the interface between the nanowires and the electrode.

This course is proposed to second-year Master's students or equivalent studying nanotechnology.